แอปพลิเคชัน

หลอดควอทซ์เกรดพลังงานแสงอาทิตย์ใช้กันอย่างแพร่หลายในกระบวนการต่างๆ ของการผลิตซิลิคอนและเซลล์แสงอาทิตย์ เช่น การเติบโตของแท่งโลหะโมโนคริสตัล การให้อาหารซิลิกอน การแพร่กระจาย การเคลือบและการแกะสลัก เป็นต้น

ลักษณะเฉพาะ

หลอดควอทซ์เกรดพลังงานแสงอาทิตย์นี้ ผลิตโดยวิธีการฟิวชั่นไฟฟ้าแบบต่อเนื่องด้วยทรายควอทซ์ที่มีความบริสุทธิ์สูง มีลักษณะของความบริสุทธิ์สูงถึง 99.995 เปอร์เซ็นต์และทนต่ออุณหภูมิสูงได้ดีเยี่ยม

รหัส

PQ181S, PQ181S-R

ข้อมูลจำเพาะ

OD ช่วง	OD Tolerance	ความอดทน WT	เลื่อน	การตกไข่	คันธนู
OD＜100.00	±1.00	±10.00 เปอร์เซ็นต์	20.00 เปอร์เซ็นต์	1.00 เปอร์เซ็นต์	0.10 เปอร์เซ็นต์
100.00 น้อยกว่าหรือเท่ากับ OD＜200.00	±1.00	±10.00 เปอร์เซ็นต์	20.00 เปอร์เซ็นต์	1.00 เปอร์เซ็นต์	0.10 เปอร์เซ็นต์
200.00 น้อยกว่าหรือเท่ากับ OD＜300.00	±1.00	±10.00 เปอร์เซ็นต์	20.00 เปอร์เซ็นต์	1.00 เปอร์เซ็นต์	0.10 เปอร์เซ็นต์
300.00 น้อยกว่าหรือเท่ากับ OD＜400.00	±1.00	±10.00 เปอร์เซ็นต์	20.00 เปอร์เซ็นต์	1.00 เปอร์เซ็นต์	0.10 เปอร์เซ็นต์
400.00 น้อยกว่าหรือเท่ากับ OD＜500.00	±1.00	±10.00 เปอร์เซ็นต์	20.00 เปอร์เซ็นต์	1.00 เปอร์เซ็นต์	0.10 เปอร์เซ็นต์
500.00 น้อยกว่าหรือเท่ากับ OD＜900.00	±2.00	±10.00 เปอร์เซ็นต์	20.00 เปอร์เซ็นต์	1.00 เปอร์เซ็นต์	0.10 เปอร์เซ็นต์

คุณสมบัติทางเคมีกายภาพ

1) ธาตุ (หน่วย:ppm)

รหัส	เกณฑ์	อัล	Ca	Cr	Cu	เฟ	K	หลี่	มก	มิน	นา	Ti	Zr
PQ181S, PQ181S-R	ทั่วไป	16.2	1	<>	<>	0.5	1.2	0.9	0.2	<>	1.1	1.5	1
PQ181S, PQ181S-R	ขีดสุด	25	1.5	0.1	0.1	1	1.5	1.5	0.2	0.2	2	4	2

หมายเหตุ: PE181E-R/PQ181EH-R เป็นหลอดปรับขนาดเกรดเซมิคอนดักเตอร์

2) เนื้อหา OH

PQ181S

OH＜10ppm

PQ181S-R

OH＜30ppm

3) คุณสมบัติทางกายภาพ

สิ่งของ	ค่าดัชนี
ความหนาแน่น (g/cm³）	2.2
การนำความร้อน (w/m·k,1000 องศา )	2.28
ค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อน ( องศา^-1,1000 องศา )	5.5×10^-7
จุดอ่อนตัว ( องศา )	1670
จุดหลอมเหลว ( องศา )	1210
จุดความเครียด ( องศา )	1110