แท่งควอตซ์ทึบแสงเกรดเซมิคอนดักเตอร์

รหัส

เกณฑ์

อัล

แคลิฟอร์เนีย

Cr คู เฟ่ ลี

มก

นา

Ti

ซร นี

PQ872E

ทั่วไป

13.0

0.60<0.05<0.050.200.400.60

0.10

0.50

1.30

1.00<0.05

ขีดสุด

19.0

1.00

0.10 0.10 0.50 1.00 1.00

0.20

1.00

2.00

2.00 0.10

PQ872EH

ทั่วไป

8.00

0.60

<0.05<0.01 0.10 0.100.20

0.05

0.10

1.30

1.00<0.05

ขีดสุด

10.0

1.00

0.10 <0.01 0.50 0.500.50

0.20

0.50

2.00

2.00 0.10

รายการ

PQ872E

P0872EH

ความหนาแน่น(ก./ซม.)

2.0

2.0

ขนาดเจาะ(อืม)

≈50

≈50

การนำความร้อน (w/mk,20 องศา)

1.24

1.24

การอนุญาต (500MHZ, 20 องศา)

3.7

3.7

จุดหลอมเหลว (C)

1180

1180

จุดความเครียด (C)

1070

1070