โครงสร้างไดโอดเซมิคอนดักเตอร์

อิเล็กโทรดถูกวาดที่ปลายทั้งสองของจุดต่อ PN และกล่องใส่หลอดจะถูกเพิ่มเพื่อสร้างไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ อิเล็กโทรดที่ดึงมาจากปลายด้านหนึ่งของเซมิคอนดักเตอร์ชนิด P ของจุดเชื่อมต่อ PN เรียกว่าขั้วบวกและอิเล็กโทรดที่ดึงมาจากปลายด้านหนึ่งของเซมิคอนดักเตอร์ชนิด N ของชุมทาง PN เรียกว่าแคโทด ตามโครงสร้างที่แตกต่างกันไดโอดเซมิคอนดักเตอร์สามารถแบ่งออกเป็นประเภทการติดต่อจุดชนิดสัมผัสพื้นผิวและประเภทบนานาล

ไดโอดเซมิคอนดักเตอร์ชนิดสัมผัสจุดทําโดยลวดโลหะที่สัมผัสกับพื้นผิวของเซมิคอนดักเตอร์ หลังจากกระบวนการพิเศษทางแยก PN จะเกิดขึ้นบนจุดติดต่อจะทําตะกั่วและกรณีจะถูกห่อหุ้ม ไดโอดสัมผัสจุดมีพื้นที่เชื่อมต่อ PN ขนาดเล็กและประสิทธิภาพความถี่สูงที่ดี เหมาะสําหรับวงจรตรวจจับความถี่สูงและวงจรสกิต